ASICのロードマップと設計パートナー(ウィリアム・ブレア):

ゴールドマン、スカンジナビア$ASMLロードショーに臨む=>新たに発表されたAI能力がTSMCの注文、そしてASMLの注文に変換されると、大幅な収益アップグレードが行われるようです。 「ASMLは、業界がロジックのゲートオールアラウンド(GAA)移行を超えた後、1.4nmへの縮小が2027年と2028年のEUV層数の増加に有益であると引き続き見ています。さらに、ASMLは、メモリの4F2設計で縮小が続くと予想しており、導入時期は2028年頃、または2030年以降になる可能性があると見ています。そのため、この移行は2028年のEUV層の成長に役立つ可能性があると考えています(したがって、移行とリソの強度に関連する最近の投資家の懸念が緩和されると考えています)。業界は現在、2026年にDRAM上の低NAで約4〜5のEUV層を追跡しており、同社は2030年には7〜10のEUV層の可能性を見出していることに注目しています。最後に、3D DRAMへの移行を遅らせ、EUV層の成長に影響を与える可能性のある要因がいくつかあることに注意してください。特に、業界は、1)水平蒸着、2)垂直エピタキシー、3)水平および垂直エッチングなど、複数の困難な移行を習得する必要があります。これらはすべて実行が非常に難しく、3D DRAM への移行には何年もかかる可能性があることを意味します。 さらに、エコシステム参加者が最近発表したAI目標が正確であれば、現在のインフラと比較して、より多くのキャパシティを構築する必要があると考えています。さらに、これらのAI目標は、ASMLの顧客が(複数年にわたる将来を見据えた計画の一環として)伝えたものよりも大幅に大きな生産能力を意味していることを強調します。ASMLはまだ受注を受けていないため、この容量を構築または計画していないと述べた。より広範に言えば、ASMLがそのような能力を構築するためには、顧客から主要なファウンドリに注文を行う必要があり、したがって、これらの半導体メーカーが機器を注文する必要性が引き起こされます。とはいえ、ASMLのEUV機器のリードタイムが12〜18Mであり、新しい工場の建設に必要な時間も同様であることを考えると、そのような収益が実現すれば、2026年以降の期間に恩恵を受けると考えています(来年はすでに予想しているAI関連の収益に続きます)。 サムスンのメモリとロジックの両方に対する3Q EUVの注文は前向きであると見ており、AIの需要は1つのファウンドリだけでは満たされないと考えています。さらに同社は、米国のテイラー工場での最先端のロジックランプに関するサムスンとテスラのパートナーシップは明らかなプラスを表しており、サムスンがプロセス学習曲線を加速できるようにするという見解を繰り返した。

TSMCは、CoWoSのパンくずの一部をOSATパートナーに提供することを決定しました