Samsung se esfuerza por acelerar la finalización del Pyeongtaek P4 Ph4... Si tiene éxito, será el único fabricante en aumentar la capacidad de HBM en 2026 Samsung Electronics, que ha completado recientemente el desarrollo de su sexta generación de Memoria de Ancho de Banda Alta (HBM4), ha lanzado una iniciativa a gran escala para recuperar el título de "Empresa número 1 de memoria con IA" centrando sus esfuerzos en ampliar la capacidad de producción de DRAM. El trasfondo radica en el juicio de la dirección de la división DS (Device Solutions) de que la empresa debe asegurar preventivamente una capacidad de producción abrumadora para satisfacer la demanda de los clientes, ya que la base de clientes de HBM se expande más allá de Nvidia para incluir otras grandes empresas tecnológicas como Google, Broadcom y Amazon. Según la industria de semiconductores, el día 7, Samsung Electronics está acelerando los trabajos de construcción relacionados para ajustar el objetivo de finalización de la Fase 4 (Ph4, espacio de producción) de su Planta 4 del Campus de Pyeongtaek (P4) desde el primer trimestre originalmente previsto de 2027 hasta el cuarto trimestre de 2026. Si este plan se materializa, el calendario —originalmente establecido para la construcción de la sala limpia en septiembre del próximo año seguida de la instalación de equipos en el cuarto trimestre— podría adelantarse a la construcción de la sala limpia en julio y luego a la instalación de equipos en el tercer trimestre. El P4 Ph4 es la instalación destinada a la producción en masa de chips DRAM de 6ª generación (D1c) de 10 nm, que son los materiales principales para el HBM4. Samsung Electronics había planeado inicialmente asignar P4 Ph2 y Ph4 para operaciones de fundición (fabricación por contrato), pero debido a la recesión de ese negocio, decidió reutilizar el Ph4 para la producción de HBM. La industria de valores predice que, si se logra la finalización anticipada del P4 Ph4, Samsung Electronics se convertirá en la única empresa entre los tres principales actores de HBM—Samsung Electronics, SK Hynix y Micron—en ampliar su capacidad de producción de HBM en el próximo año. Para SK Hynix, existe un intervalo de tiempo significativo entre la finalización de la fábrica Cheongju M15X en el cuarto trimestre de este año y la operación de la primera fábrica en el cúmulo de Yongin en la primera mitad de 2027. Mientras tanto, Micron se enfrenta a continuos retrasos en la finalización de su planta de Hiroshima en Japón y de Nueva York en EE. UU. debido a problemas como retrasos en la entrega de equipos y regulaciones.