TSMC publicó los últimos datos del proceso A14 (nivel 1,4nm, fuente de alimentación de respaldo) en el Foro Europeo de OIP, que muestran una mejora del 16% en el rendimiento con el mismo consumo y una reducción del 27% en el consumo energético a la misma frecuencia en comparación con N2 (nivel 2nm), lo que es mejor que el rendimiento estimado previamente del 10-15% y el ahorro energético del 25-30%. Las diapositivas solo enumeran los nodos principales principales, omitiendo N3B (usado principalmente por Apple e Intel) y N3P, N2P y otras actualizaciones de nodos intermedios, aunque mencionan nodos dedicados N3X, N2X, A16, pero omitir la actualización de nodos intermedios oscurece algo la importancia de estas mejoras graduales. Si volvemos al N7 en 2018, el A14 ofreció 1,83 veces más rendimiento y 4,2 veces la eficiencia energética en una década, lo que indica que la Ley de Moore sobrevivió a pesar de la desaceleración. TSMC enfatiza que cada generación principal de nodos reduce el consumo energético en aproximadamente un 30%, mientras que el rendimiento aumenta entre un 15 y un 18%, y el enfoque del diseño en los últimos años ha estado claramente sesgado hacia el ahorro energético. Cabe destacar que las herramientas EDA impulsadas por IA están surgiendo como incorporaciones clave. Las diapositivas muestran que el uso de herramientas APR de aprendizaje por refuerzo como Cadence Cerebrus y Synopsys puede ahorrar un 7% adicional de energía optimizando solo el cableado de layout y el apilamiento metálico, lo que equivale a la contribución de una actualización de nodo intermedio.

Samsung se esfuerza por acelerar la finalización del Pyeongtaek P4 Ph4... Si tiene éxito, será el único fabricante en aumentar la capacidad de HBM en 2026 Samsung Electronics, que ha completado recientemente el desarrollo de su sexta generación de Memoria de Ancho de Banda Alta (HBM4), ha lanzado una iniciativa a gran escala para recuperar el título de "Empresa número 1 de memoria con IA" centrando sus esfuerzos en ampliar la capacidad de producción de DRAM. El trasfondo radica en el juicio de la dirección de la división DS (Device Solutions) de que la empresa debe asegurar preventivamente una capacidad de producción abrumadora para satisfacer la demanda de los clientes, ya que la base de clientes de HBM se expande más allá de Nvidia para incluir otras grandes empresas tecnológicas como Google, Broadcom y Amazon. Según la industria de semiconductores, el día 7, Samsung Electronics está acelerando los trabajos de construcción relacionados para ajustar el objetivo de finalización de la Fase 4 (Ph4, espacio de producción) de su Planta 4 del Campus de Pyeongtaek (P4) desde el primer trimestre originalmente previsto de 2027 hasta el cuarto trimestre de 2026. Si este plan se materializa, el calendario —originalmente establecido para la construcción de la sala limpia en septiembre del próximo año seguida de la instalación de equipos en el cuarto trimestre— podría adelantarse a la construcción de la sala limpia en julio y luego a la instalación de equipos en el tercer trimestre. El P4 Ph4 es la instalación destinada a la producción en masa de chips DRAM de 6ª generación (D1c) de 10 nm, que son los materiales principales para el HBM4. Samsung Electronics había planeado inicialmente asignar P4 Ph2 y Ph4 para operaciones de fundición (fabricación por contrato), pero debido a la recesión de ese negocio, decidió reutilizar el Ph4 para la producción de HBM. La industria de valores predice que, si se logra la finalización anticipada del P4 Ph4, Samsung Electronics se convertirá en la única empresa entre los tres principales actores de HBM—Samsung Electronics, SK Hynix y Micron—en ampliar su capacidad de producción de HBM en el próximo año. Para SK Hynix, existe un intervalo de tiempo significativo entre la finalización de la fábrica Cheongju M15X en el cuarto trimestre de este año y la operación de la primera fábrica en el cúmulo de Yongin en la primera mitad de 2027. Mientras tanto, Micron se enfrenta a continuos retrasos en la finalización de su planta de Hiroshima en Japón y de Nueva York en EE. UU. debido a problemas como retrasos en la entrega de equipos y regulaciones.

SK Hynix busca localizar la fotorresistencia EUV monopolizada por Japón... Socios con Dongjin Semichem SK Hynix ha iniciado la localización del fotorresist por ultravioleta extremo (EUV), un mercado dominado por Japón. Esta medida pretende fortalecer la cadena de suministro de materiales semiconductores avanzados esenciales y, al mismo tiempo, mejorar la competitividad en la fabricación de semiconductores. Según fuentes del sector, el día 7 se ha identificado que SK Hynix ha comenzado a desarrollar relaciones públicas EUV de alto rendimiento en cooperación con Dongjin Semichem. El objetivo no es solo reemplazar la PR de la EUV que anteriormente suministraban empresas japonesas como JSR y Tokyo Ohka Kogyo (TOK), sino también desarrollar materiales que ofrezcan un rendimiento superior. Un funcionario familiarizado con el asunto declaró: "Requieren materiales capaces de ofrecer un mejor rendimiento que los productos japoneses", añadiendo: "Entiendo que solicitaron específicamente mejoras en la sensibilidad de relaciones públicas para aumentar la productividad." SK Hynix ya localizó EUV PR en 2023 a través de su filial, SK Materials Performance. Sin embargo, se sabía que el producto creado en ese momento era de especificación inferior. Para la PR de alto rendimiento utilizada en capas críticas de semiconductores, la empresa ha confiado al 100% en Japón hasta ahora. La PR es un material utilizado en el proceso de litografía. Cuando la luz se irradia (expone) sobre una oblea para imprimir microcircuitos semiconductores, la PR es la sustancia en la superficie de la oblea que reacciona a la luz. La EUV es una tecnología esencial de exposición para implementar circuitos ultrafinos de alrededor de 10 nanómetros (nm), y ASML de los Países Bajos es el único proveedor mundial de equipos de litografía EUV. SK Hynix está impulsando el desarrollo de relaciones públicas EUV para maximizar la utilización de equipos de litografía, que cuestan hasta 200.000 millones de won por unidad, y para responder a la demanda en rápido crecimiento de capas EUV en DRAM. Según la industria de semiconductores, aumentar la sensibilidad a la PR reduce el tiempo de exposición. Debido a que la velocidad de reacción es más rápida, es posible implementar microcircuitos en menos tiempo. Esto significa que la capacidad de producción puede variar según la PR utilizada, incluso con el mismo equipo. Además, a medida que aumentan los procesos EUV en DRAM, la necesidad de desarrollo de relaciones públicas ha crecido. El número de capas EUV por generación es: una para la clase 10nm de 4ª generación (1a), tres para la quinta generación (1b), cinco para la sexta generación (1c) y siete para la séptima generación (1d). Se espera que aumente aún más para productos por debajo de 10 nm. El desarrollo de materiales lleva una cantidad considerable de tiempo, y la PR EUV presenta altas barreras de entrada. Es difícil predecir qué resultados dará la colaboración entre SK Hynix y Dongjin Semichem. Naturalmente, si la comercialización tiene éxito, podría servir como una oportunidad para elevar la competitividad de la industria material nacional al siguiente nivel. Un funcionario de SK Hynix declaró: "No podemos revelar detalles específicos del desarrollo", pero añadió: "Seguimos cooperando con varias empresas, incluidos fabricantes de materiales, para mejorar la productividad."