Goldman $ASML Skandinavian kiertueella => kuulostaa siltä, että suuria tulonkorotuksia on tulossa, kun äskettäin ilmoitettu tekoälykapasiteetti muunnetaan TSMC-tilauksiksi ja sitten ASML-tilauksiksi. "ASML näkee edelleen kutistumisen 1,4 nm:iin hyödyllisenä EUV-kerrosten määrän kasvulle vuosina 2027 ja 2028, kun ala siirtyy logiikan Gate-All-Around (GAA) -siirtymän ulkopuolelle. Lisäksi ASML odottaa kutistumisen jatkuvan 4F2-suunnittelun myötä muistissa, ja näemme käyttöönoton ajoituksen noin vuonna 2028 tai mahdollisesti vuoden 2030 jälkeen. Sellaisenaan uskomme, että tämä siirtymä voisi auttaa EUV-kerroksen kasvua vuonna 2028 (ja siten lievittää viimeaikaisia sijoittajien huolia, jotka liittyvät siirtymään ja lito-intensiteettiin). Huomaamme, että teollisuus seuraa tällä hetkellä noin 4-5 EUV-kerrosta matalalla NA:lla DRAM-muistissa vuodelle 2026 ja yhtiö näkee potentiaalia 7-10 EUV-kerrokseen vuonna 2030. Lopuksi huomaamme, että on olemassa useita tekijöitä, jotka voivat hidastaa siirtymistä 3D DRAM-muistiin ja siten vaikutusta EUV-kerroksen kasvuun. Erityisesti alan olisi hallittava useita haastavia siirtymiä, kuten 1) vaakasuuntainen pinnoitus, 2) vertikaalinen epitaksia ja 3) vaaka- ja pystyetsaus; jotka kaikki ovat erittäin vaikeita toteuttaa, mikä tarkoittaa, että mahdollinen siirtyminen 3D DRAM-muistiin voi kestää useita vuosia. Lisäksi uskomme, että jos ekosysteemin osallistujien äskettäin ilmoittamat tekoälytavoitteet ovat tarkkoja, kapasiteettia olisi lisättävä nykyiseen infrastruktuuriin verrattuna. Lisäksi korostamme, että nämä tekoälytavoitteet tarkoittavat huomattavasti suurempaa tuotantokapasiteettia kuin mitä ASML:n asiakkaat ovat kertoneet heille (osana monivuotisia tulevaisuuteen suuntautuvia suunnitelmia). ASML ilmoitti, että se ei ole rakentanut tai suunnitellut tätä kapasiteettia, koska se ei ole vielä saanut tilauksia. Laajemmin, jotta ASML voisi rakentaa tällaista kapasiteettia, olisi välttämätöntä, että tilaukset tehdään johtaville valimoille niiden asiakkailta, mikä laukaisisi näiden semi-valmistajien tarpeen tilata laitteita. Uskomme kuitenkin, että koska ASML:n EUV-laitteiden läpimenoaika on 12-18 miljoonaa ja uusien tehtaiden rakentamiseen tarvittava aika olisi samanlainen, jos tällaiset tulot toteutuvat, ne hyödyttäisivät vuoden 2026 jälkeisiä ajanjaksoja (tekoälyyn liittyvien tulojen jälkeen, joita odotamme jo ensi vuonna). Näemme Samsungin 3Q EUV -tilaukset sekä Memorylle että Logicille positiivisina ja uskomme, että tekoälyn kysyntää ei tyydytä vain yksi valimo. Lisäksi yhtiö toisti näkemyksensä, että Samsungin kumppanuus Teslan kanssa huippuluokan Logic-rampilla Taylorin tehtaallaan Yhdysvalloissa on selkeä positiivinen asia, jonka avulla Samsung voi nopeuttaa prosessien oppimiskäyrää."